민관합동, 반도체 10년 간 510조원 투자한다
민관합동, 반도체 10년 간 510조원 투자한다
  • 김성화 기자
  • 승인 2021.05.13 15:30
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정부, 반도체 R&D 최대 50% 시설투자 20% 세액공제
EUV 독점공급 ASML, 화성 2400억원 투자 의사 밝혀
삼성전자 시스템 반도체 투자, 2019년 계획 대비 38조원 늘려
삼성전자 평택캠퍼스 P2라인 전경. 사진=삼성전자
삼성전자 평택캠퍼스 P2라인 전경. 사진=삼성전자

톱데일리 김성화 기자 = 정부와 민간이 나란히 반도체 산업 육성을 위한 투자 계획을 발표했다. 그 규모가 향후 10년간 510조원에 이른다.

13일 정부에 따르면 이날 문재인 대통령은 평택에서 가진 'K-반도체 벨트 전략 보고대회'에서 ”준비된 미래, 반도체 강국“을 위한 K-반도체 전략을 함께 논의하고, 관계자들을 격려했다.

이날 행사에는 삼성전자, SK하이닉스 등 반도체 소자 기업뿐만 아니라, 실리콘웍스 등 팹리스 기업, 네패스 등 패키징 기업, 현대자동차 등 수요기업, 서울대·연세대·반도체협회 등 반도체 관련 대학·유관기관 등이 참석했다. 정부 측에서도 경제부총리, 사회부총리, 산업부 장관, 과기정통부 장관, 금융위원장 등 반도체 관련된 국무위원들이 총출동했다.

문 대통령은 이날 “반도체는 국내 제조업 투자의 45%, 수출의 20%를 차지하는 제1의 산업”이라며 “한반도 중심에 세계 최고 반도체 생산기지를 구축하고 글로벌 공급망을 주도“해 나가겠다고 밝혔다.

이에 맞춰 정부는 세제 지원에 초점을 맞춘 계획을 내놨다. 정부에 따르면 반도체 핵심기술 확보, 양산시설 확충 촉진을 위해 핵심 전략기술을 신설해 R&D는 최대 40~50%, 시설투자 최대 10~20%를 세액공제 해준다.

또 1조원 이상 반도체 등 설비투자 특별자금 신설 등 금융 지원을 강화하며 화학물질 취급시설 인·허가 단축 등 규제 합리화, 용수물량 확보, 송전선로 구축과 폐수 재활용 R&D 지원 등 강력한 패키지를 제공한다.

이와 함께 용인에 소부장 특화단지, 용인과 화성에 첨단 장비 연합기지, 중부권에 첨단 패키징 플랫폼, 판교에 팹리스 밸리를 조성한다는 계획도 밝혔다.

또 반도체 관련학과 정원 확대 등을 통해 2031년까지 반도체 산업인력 3만6000명 육성, 국내외 반도체 산업 여건·주요국 반도체 입법 동향 등을 고려해‘반도체 특별법’ 제정 등도 함께 언급했다.

이날 행사 후반에는 최근 당면한 업계 문제를 해결하기 위한 협약 체결도 있었다. 특히 차량용 반도체 수요·공급기업 간 연대·협력을 통해 차량용 반도체 부족에 대응하고, 미래차 핵심 반도체의 글로벌 공급망 선도를 위해 자동차-반도체 기업의 공동 노력을 추진할 계획이다.

또 미세공정의 핵심인 EUV(극자외선, Extreme Ultraviolet) 노광기술을 보유하고 있는 ASML이 화성에 첨단 EUV 클러스터를 조성하기 위해 2400억원 규모 투자 의향을 밝히고 정부·지자체 등은 투자 애로해소와 인허가 지원 등에 적극 협력하기로 했다.

 이 날 행사는 삼성전자, SK하이닉스 등 기업의 대대적인 투자발표와 함께 산업부 장관이 민간기업 투자를 뒷받침하고, 세계 최대의 글로벌 반도체 생산기지 조성 및 종합반도체 강국 도약을 위한 세부전략을 발표했다. 삼성전자, SK하이닉스, 네패스, 리벨리온 등 주요 반도체 기업들은 올해부터 30년까지 10년간 총 510+α조원 규모로 대대적 투자를 진행한다

이에 맞춰 삼성전자도 이날 시스템 반도체 투자에 기존 계획 대비 40조원 가량 확대한다고 발표했다.

이날 삼성전자는 “시스템반도체 리더십 조기 확보를 위해 '시스템반도체 비전 2030' 발표 당시 수립한 133조원의 투자계획에 38조원을 추가해 2030년까지 총 171조원을 투자한다”고 밝혔다. 지난 2019년 4월 삼성전자는 이때 '시스템반도체 비전 2030'을 제시하며 133조원 투자계획을 발표했다.

삼성전자에 따르면 2022년 하반기 완공될 평택 3라인의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기로 현존하는 최첨단의 기술이 적용된 팹이다. EUV 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다.

삼성전자는 앞으로 ▲차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나가고 ▲메모리와 시스템반도체를 융합한 'HBM-PIM' ▲D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 'CXL D램' 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가하며 '초격차 세계 1위' 위상을 강화할 계획이다.

삼성전자는 시스템반도체 생태계 육성을 위해 팹리스 대상 IP 호혜 제공, 시제품 생산 지원, 협력사 기술교육 등 다양한 상생 활동을 더욱 확대하고 공급망 핵심인 소재∙부품∙장비 업체는 물론 우수 인재 육성을 위한 학계와의 협력을 더욱 강화해 나갈 예정이다.


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